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BNE TC2000
BNE自主研发的涂胶显影设备TC2000，适用于I-line、KrF、ArF及PI等工艺。设备配置了高精度、高稳定性的传送模组与工艺模组，以确保稳定的工艺结果。该设备占地面积小、可靠性高、易于维护，可广泛应用于IC、先进封装、MEMS、功率器件、射频集成等领域，设备还可根据需求进行功能定制化开发，以满足客户对于不同产品的需求。
产品详情
| 晶圆尺寸 |
100~200mm（圆片/方片） |
| 晶圆厚度 |
400~1000μm（其它厚度可定制） |
| 产量 | 120wph |
| 基板 |
Si、SiC、GaAs、GaN、GaP、Glass、Sapphire等 |
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工艺及架构 |
涂胶/显影：4C/4D/2C2D（可根据客户需求自由选配），支持双BLOCK（4C4D） 冷/热板：低温热板，高温热板，增粘热板，高精度热板，冷板等多规格版本 边缘曝光：可选配WEE功能 系统与通讯：
ROBOT：高稳定性手臂，支持手爪冷热隔离，点位示教操作简单直观 结构与配置：
Spin Arm：Sharm Arm（节省Resist Pump数量）or Individual Arm INLINE：支持主流光刻机INLINE作业 |
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技术参数 |
温度控制：
高精度热板50-200℃：
设备腔体温湿度：THC，21.0℃~25.0℃，≤±0.1℃，30.0%～50.0%，≤±1% THK Uniformity：≤±0.5%（粘度≤10CP，THK≤1μm） 胶厚均匀性：片内≤±1%，片间≤±1% 显影均匀性（线宽CD≥1μm）：片内≤±1%，片间≤±1% 低温热板：在温度范围50℃-120℃内温度均匀性≤±0.6℃，在温度范围120℃-180℃内温度均匀性≤±1.2℃ 高温热板：在温度范围50℃-120℃内温度均匀性≤±0.6℃，在温度范围120℃-250℃内温度均匀性≤±1.2℃ AD增粘单元（HMDS单元）：在温度范围50℃-120℃内温度均匀性≤±0.6℃，在温度范围120℃-180℃内温度均匀性≤±1.2℃ |
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外形要素 |
Open Cassette Type：2290（W）*1570（D）*2600（H）（单位：mm） SMIF Type：2650（W）*1570（D）*2600（H）（单位：mm） |
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