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BNE SWS2000
公司自主研发单芯片设备SWS 2000
可用于2/ 4/ 6/ 8 inch（厚度300~1500μm，翘曲度<2μm）晶圆的金属/氧化层（Matel/ OxideEtching），清洗（Clean），刷洗（Scrubber）工艺
采用2/ 4"共享，4/ 6"共享，6/ 8"共享chuck，可更换
可用于2/ 4/ 6/ 8 inch（厚度300~1500μm，翘曲度<2μm）晶圆的金属/氧化层（Matel/ OxideEtching），清洗（Clean），刷洗（Scrubber）工艺
采用2/ 4"共享，4/ 6"共享，6/ 8"共享chuck，可更换
产品详情
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适用尺寸
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8寸以下，厚度300~1500μm各种材质，超薄300μm以下有特殊机制使用
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适用工艺
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金属/ 氧化层刻蚀（Matel/ Oxide Etching），清洗（Clean），刷洗（Scrubber）
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化液种类数量
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1种，2种，4种
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化液温度
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低温（<18℃），高温（~90℃），超高温（~120℃）
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化液循环使用
直接排放功能 |
可依工艺参数设定自动更换
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化液流量设定
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可依工艺参数设定自动操控，数字化监控操作
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化液压力设定
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可依工艺参数设定自动操控，数字化监控操作
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化液更换时间
设定警告
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有，使用时间设定，跑片片数设定
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清洗功能
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化液管路桶槽自动清洗
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化液补充功能
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Local/ Facility自由设定
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Wafer Chuck
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特殊无真空吸附式装置，避免化液吸入真空管道损坏设备
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Wafer旋转
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伺服电机，0~3000rpm±1rpm
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摆臂功能
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摇摆，定位功能设定
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喷嘴
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Stream, Flat, Coin, 可随时变更更换
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背洗功能
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各尺寸独立设定调整
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化液，DIW，N2，管路
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完全独立管道及喷嘴
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超声波喷头及二流体喷头
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可依需求装置
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超高压喷头
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可依需求装置（~100 psi）
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DIW Rinse
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可依工艺参数设定自动设定压力、流量
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化液补充功能
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Local/ Facility自由设定
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N2
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可依工艺参数设定自动设定流量，加热，静电消除装置
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End Point侦测
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可依需求装置
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非完整与薄片应用
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专利型特殊设计运用
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Wafer翻转机制
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可依需求装置，可做双面工艺
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Robot
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DualArm标准SEMIRobot，可依需求装置抗静电特殊涂层Ceramic/ SiCArm
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FFU
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传输区，制程工艺区，可调整风压，及失效报警
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抽器Exhaust
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Cup区，工艺区，化液区，桶槽区，俱气水分离装置，抽气风压侦测，可依要求装置火警自动闭锁装置
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Load Port
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Open Cassette或SMIF，Open Cassette适用2~8寸，自动判别尺寸，可自行设定Pitch.Wafer厚度
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机架
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不锈钢结构外覆不锈钢板材
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防火装置
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可依需求装置
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控制系统
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IPC+PLC，Window o/S操作系统
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操作接口
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人性化直觉操作，工艺参数设定命，分层管理权限
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设备记录
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跑片记录，设备操作及报警记录，设备状况记录可图形化（如温度变化），可下载、上传
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远程作业
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可依需求装置SECII/GEM，设备标准有远程操作检视功能，能通过网络进行错误判断及排除功能
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