新毅东（北京）科技有限公司

产品中心

Product Center

光刻设备

涂胶显影设备

高端客制化湿法设备

备品备件

Nikon NSR G线光刻机

Nikon NSR G线步进式光刻机
光源波长436nm
分辨率优于0.65µm
主要用于2寸、4寸、6寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域

Nikon NSR 1755/1505i7A/B

Nikon NSR 1755/1505i7A/B步进式光刻机
光源波长365nm
分辨率优于0.6µm
主要用于2寸、4寸、6寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域

Nikon NSR 2005i8A

Nikon NSR 2005i8A步进式光刻机
光源波长365nm
分辨率优于0.5µm
主要用于2寸、4寸、6寸、8寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域

Nikon NSR 2005i9C

Nikon NSR 2005i9C步进式光刻机
光源波长365nm
分辨率优于0.45µm
用于2寸、4寸、6寸、8寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域

Nikon NSR 2005i10C

Nikon NSR 2005i10C步进式光刻机
光源波长365nm
分辨率优于0.45µm
主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域

Nikon NSR 2205i11D

Nikon NSR 2205i11D步进式光刻机
光源波长365nm
分辨率优于0.4µm
主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域

Nikon NSR 2205i12D

Nikon NSR 2205i12D步进式光刻机
光源波长365nm
分辨率优于0.4µm
主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域

Nikon NSR 2205i14E

Nikon NSR 2205i14E步进式光刻机
光源波长365nm
分辨率优于0.35µm
主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域

Nikon SF120/130

Nikon SF120/130步进式光刻机
光源波长365nm
分辨率优于0.28µm
主要用于6寸、8寸及12寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域

Nikon EX12B

Nikon EX12B步进式光刻机
光源波长248nm
分辨率优于0.3µm
主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域

Nikon EX14C

Nikon EX14C步进式光刻机
光源波长248nm
分辨率优于0.25µm
主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域

Nikon S203B

Nikon S203B扫描式光刻机
光源波长248nm
分辨率优于0.2µm
主要用于4寸、6寸及8寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域

Nikon S204B

Nikon S204B扫描式光刻机
光源波长248nm
分辨率优于0.18µm
主要用于4寸、6寸及8寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域

Nikon S205C

Nikon S205C扫描式光刻机
光源波长248nm
分辨率优于0.15µm
主要用于8寸及12寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域

Nikon S206D

Nikon S206D扫描式光刻机
光源波长248nm
分辨率优于0.12µm
主要用于8寸及12寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域

Nikon S207D

Nikon S207D扫描式光刻机
光源波长248nm
分辨率优于0.11µm
主要用于8寸及12寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域

Nikon S208D

Nikon S208D扫描式光刻机
光源波长248nm
分辨率优于0.11µm
主要用于8寸及12寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域

Nikon S308F

Nikon S308F扫描式光刻机
光源波长193nm
分辨率优于0.07µm
主要用于4寸、6寸、8寸及12寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域

Canon FPA3000 EX4

Canon FPA3000 EX4步进式光刻机
光源波长248nm
分辨率优于0.25µm
主要用于主要用于4寸、6寸、8寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域

Canon FPA5000 ES3

Canon FPA5000 ES3扫描式光刻机
光源波长248nm
分辨率优于0.18µm
主要用于6寸、8寸及12寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域

Canon FPA5000 ES4

Canon FPA5000 ES4扫描式光刻机
光源波长248nm
分辨率优于0.13µm
用于6寸、8寸及12寸生产线
广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域

BNE TC2000

公司自主研发涂胶显影设备TC2000，适用于多种材料涂覆显影工艺的高端机台，支持与光刻机联机作业
该设备占地面积小、可靠性高、易于维护，满足各种功能芯片制程需求
可广泛用于8寸以下半导体、化合物半导体、MEMS及LED等领域

BNE SWS2000

公司自主研发单芯片设备SWS 2000
可用于2/ 4/ 6/ 8 inch（厚度300~1500μm，翘曲度<2μm）晶圆的金属/氧化层（Matel/ OxideEtching），清洗（Clean），刷洗（Scrubber）工艺
采用2/ 4"共享，4/ 6"共享，6/ 8"共享chuck，可更换

槽式清洗设备XW3000系列

公司自主研发、设计、制造槽式清洗设备XW3000系列
可用于RCA 清洗，湿法去胶，介质层湿法刻蚀，金属层湿法刻蚀，炉管前清洗以及其它特殊工艺清洗需求
设备采用模块化设计，可依照客户不同化学药液及工艺需求定制化设计

单片蚀刻清洗设备XS5000系列

公司自主研发、设计、制造单片式清洗设备XS5000系列

消耗品

Nikon、Canon、TEL设备各类备品备件供应
工厂设有300㎡的备品备件仓库，保障备品备件的及时供应

国产替代及加工件类

各种ARM、chuck、pre2等加工件

二手备件类

控制基板、马达、控制器、电源等

新品备件类

镜头、马达、硬盘、主机等

技术服务

Technology Services

翻新服务

BNE提供光刻机专业翻新服务，经过严格检测、精密维修及性能升级，确保翻新设备达到卓越作业水平，以经济高效的方式为半导体制造商赋能。.

改造服务

根据产品工艺和衬底材质需求，精准改造WL、RL单元及OF寻边、Stage等关键部分，满足生产所需。.

光刻镜头服务

专业维护光刻设备照明系与成像系镜头，服务内容涵盖清洁、调整、镜片更换及拆装，确保镜头性能稳定、成像清晰，保证生产精度。.

移机服务

移机团队经验丰富，工具专业，流程完善，确保设备安全移动。.

关于新毅东

About Us

新毅东（北京）科技有限公司（以下简称“BNE”）成立于2014年3月，是一家从事半导体生产线设备业务的高新技术企业。 BNE核心业务围绕黄光设备的技术服务与自主研发，同时积极引入海外先进产品技术，并致力于关键国产化替代，为集成电路、化合物半导体、MEMS以及LED等领域的客户提供设备制程整合与个性化解决方案。BNE与中芯国际等行业领头羊建立稳固合作关系，积累了丰富的技术经验，拥有一支高素质技术团队。为强化服务能力与技术创新，BNE在北京、上...